Samsung und SK Hynix treiben aktiv die Investitionen in die Produktionsanlagen und die Aufrüstung der Produktionslinien für NAND-Flash-Speicher in China voran. Es wird erwartet, dass die entsprechenden Maßnahmen bis Ende nächsten Jahres abgeschlossen sind, um der kontinuierlich steigenden Nachfrage nach hochmodernen Speicherchips im Markt für Künstliche Intelligenz (KI) Server gerecht zu werden.
Samsung Xi’an X2 Produktionslinie startet V9 NAND Transformationsinvestitionen
Berichten südkoreanischer Medien zufolge hat Samsung Electronics seit der ersten Jahreshälfte mit Transformationsinvestitionen in die V9 NAND-Flash-Speicherproduktion an der Produktionslinie X2 in Xi’an, China, begonnen. Der Chip verwendet eine 280-lagige gestapelte Zellstruktur und gehört zu den fortschrittlichsten Speicherprodukten der Branche. Die monatliche Produktionskapazität wird voraussichtlich 40.000 bis 50.000 Wafer erreichen. Samsung hat kürzlich einen ergänzenden Investitionsplan genehmigt, der sich auf den zusätzlichen Erwerb von Kern-Ätzanlagen konzentriert, die für die Herstellung von ultra-hochgestapeltem NAND-Flash-Speicher erforderlich sind. Die entsprechenden Bestellungen für die Geräte werden voraussichtlich bis Ende dieses Jahres endgültig festgelegt.
Der Ätzprozess ist ein Fertigungsschritt, bei dem spezifische Materialien von Wafern mit eingravierten Halbleiterschaltungen entfernt werden. Dabei müssen extrem tiefe Ladungstransferkanäle präzise in die Wafersstruktur gebohrt werden. Brancheninsider berichten, dass Samsung plant, die Kapazität für hochmodernen Flash-Speicher in China in Phasen in diesem und im nächsten Jahr auszubauen, beginnend mit gezielten zusätzlichen Investitionen in der zweiten Jahreshälfte nächsten Jahres, um eine stabile Massenproduktion von V9 NAND sicherzustellen.
SK Hynix Dalian Werk erhält neue Geräteinstallation
SK Hynix hat ebenfalls ab dem dritten Quartal dieses Jahres Investitionen in die erforderlichen Geräte für die Aufrüstung der NAND-Flash-Speicherprodukte im zweiten Werk in Dalian vorangetrieben. Nach Angaben werden die Kernfertigungsgeräte, einschließlich Ätzmaschinen, voraussichtlich nächsten Monat mit der Installation beginnen. SK Hynix plant, die Geräteanpassung und den Bau im Dalian-Werk fortzusetzen, mit dem Ziel, in der ersten Jahreshälfte nächsten Jahres schrittweise eine monatliche Produktionskapazität von 30.000 Wafern zu erreichen.
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Chip-Typ | Samsung V9 NAND-Flash-Speicher |
| Gestapelte Schichten | 280 Schichten |
| Monatliche Produktionskapazität Samsung Xi’an X2 | 40.000 bis 50.000 Wafer |
| Zielmonatliche Produktionskapazität SK Hynix Dalian zweites Werk | 30.000 Wafer |
| Kernfertigungsgeräte | Ätzmaschine (Etcher) |
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